TC58NYG1S3HBAI4 规格书下载 铠侠
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铠侠
NAND FLASH
型号信息 完整电气参数以规格书为准
- 型号
- TC58NYG1S3HBAI4
- 品牌
- 铠侠 KIOXIA
- 系列
- TC58NY
- 分类
- 存储器 / NAND FLASH
- 封装
- TFBGA-63(9x11)
2 Gbit CMOS NAND E2PROM
主要参数 4 项 · 以规格书为准
| 存储容量 | 2Gbit |
|---|---|
| 工作电压 | 1.7V~1.95V |
| 写周期时间(Tw) | 25ns |
| 页写入时间(Tpp) | 25ns |
可替代型号 按子类与关键参数自动比对
参数同级暂无自动匹配的替代型号。告诉我们你现在的用料，可以人工找替代或做验证。
替换前确认清单（NAND FLASH）
- 页/块大小与组织（如 2K+64B、4K+256B）
- ECC 方案（片内 ECC 还是主控软件 ECC，强度是否够）
- 坏块管理策略与出厂坏块数上限
- ONFI/时序模式与主控兼容
- 颗粒类型（SLC/MLC/TLC）与擦写寿命、数据保持
- 封装与焊盘定义
以上为本产品类型的通用确认要点，逐项核对后建议先小批量验证；需要样品、替代评估报告或 FAE 支持，可直接询价，我们提供免费送样与验证协助。
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