MB85RS256TYAPN-G-AWE1 规格书下载 富士通
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富士通
铁电存储器(FRAM)
型号信息 完整电气参数以规格书为准
- 型号
- MB85RS256TYAPN-G-AWE1
- 品牌
- 富士通 RAMXEED/FUJITSU
- 系列
- MB85RS256
- 分类
- 存储器 / 铁电存储器(FRAM)
- 封装
- DFN-8 (5mmx6mm)
SPI，铁电存储器(FRAM)，DFN-8 (5mmx6mm) 封装，工业级
主要参数 5 项 · 以规格书为准
| Capacity | SPI |
|---|---|
| Organization | 256Kbit |
| Package | DFN-8 (5mmx6mm) |
| Supply Voltage | 1.8V~3.6V |
| Operating Temp. | Industrial |
可替代型号 按子类与关键参数自动比对
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替换前确认清单（铁电存储器(FRAM)）
- 接口与时序兼容（SPI/I2C 模式、频率上限）
- 容量与写入粒度（无页写限制是 FRAM 优势）
- 擦写寿命（万亿次级）与数据保持年限
- 电压范围与超低功耗特性
- 替代 EEPROM/电池 SRAM 的场景匹配
以上为本产品类型的通用确认要点，逐项核对后建议先小批量验证；需要样品、替代评估报告或 FAE 支持，可直接询价，我们提供免费送样与验证协助。
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