IS62WV12816BLL-45BLI 规格书下载 芯成半导体
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芯成半导体
静态随机存取存储器(SRAM)
型号信息 完整电气参数以规格书为准
- 型号
- IS62WV12816BLL-45BLI
- 品牌
- 芯成半导体 ISSI
- 系列
- IS62WV
- 分类
- 存储器 / 静态随机存取存储器(SRAM)
- 封装
- TSOPII-44-10.2mm
同族型号（见 IS62WV12816BLL-55TLI 规格书）
主要参数 4 项 · 以规格书为准
| 接口类型 | 并口(Parallel) |
|---|---|
| 存储容量 | 2Mbit |
| 工作电压 | 2.5V~3.6V |
| 读写时间 | 55ns |
可替代型号 6 个候选 · 按子类与关键参数自动比对
| 型号 | 品牌 | 判定 | 关键参数对比 | 规格书 |
|---|---|---|---|---|
| IS61WV2568EDBLL-10BLI | 芯成半导体 | 引脚兼容可直接替换，无需改板 | 存储容量 2Mbit → 2Mbit接口 PARALLEL → PARALLEL工作电压 2.5~3.6V → 2.4~3.6V封装 TSOPII-44-10.2mm → TSOPII-44-10.2mm | 下载 |
| IS61WV2568EDBLL-10KLI | 芯成半导体 | 引脚兼容可直接替换，无需改板 | 存储容量 2Mbit → 2Mbit接口 PARALLEL → PARALLEL工作电压 2.5~3.6V → 2.4~3.6V封装 TSOPII-44-10.2mm → TSOPII-44-10.2mm | 下载 |
| IS61WV2568EDBLL-8BLI | 芯成半导体 | 引脚兼容可直接替换，无需改板 | 存储容量 2Mbit → 2Mbit接口 PARALLEL → PARALLEL工作电压 2.5~3.6V → 2.4~3.6V封装 TSOPII-44-10.2mm → TSOPII-44-10.2mm | 下载 |
| IS61WV2568EDBLL-8KLI | 芯成半导体 | 引脚兼容可直接替换，无需改板 | 存储容量 2Mbit → 2Mbit接口 PARALLEL → PARALLEL工作电压 2.5~3.6V → 2.4~3.6V封装 TSOPII-44-10.2mm → TSOPII-44-10.2mm | 下载 |
| IS62WV12816BLL-55B2I | 芯成半导体 | 引脚兼容可直接替换，无需改板 | 存储容量 2Mbit → 2Mbit接口 PARALLEL → PARALLEL工作电压 2.5~3.6V → 2.5~3.6V封装 TSOPII-44-10.2mm → TSOPII-44-10.2mm | 下载 |
| IS62WV12816BLL-55B2LI | 芯成半导体 | 引脚兼容可直接替换，无需改板 | 存储容量 2Mbit → 2Mbit接口 PARALLEL → PARALLEL工作电压 2.5~3.6V → 2.5~3.6V封装 TSOPII-44-10.2mm → TSOPII-44-10.2mm | 下载 |
判定只看公开参数（容量/接口/封装/引脚/主频），未覆盖时序余量、温度等级、认证与批次差异。替换前请以双方规格书确认；需要样品或替代验证支持可直接询价。
替换前确认清单（静态随机存取存储器(SRAM)）
- 访问时序等级（-10/-12 ns）与主控余量
- 容量与位宽（x8/x16）
- 待机/工作电流
- 接口电平与输出驱动能力
- 封装与引脚
以上为本产品类型的通用确认要点，逐项核对后建议先小批量验证；需要样品、替代评估报告或 FAE 支持，可直接询价，我们提供免费送样与验证协助。
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