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GD5F1GQ5REWIGR 规格书下载 兆易创新

可下载 兆易创新 NOR FLASH
型号信息 完整电气参数以规格书为准
型号
GD5F1GQ5REWIGR
品牌
兆易创新 GigaDevice
系列
GD5F
分类
存储器 / NOR FLASH
封装
WSON8(6x8)

SPI-NAND,1Gbit ,页面大小2K+128B

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型号自动带入询价单

主要参数 4 项 · 以规格书为准
接口类型SPI
存储容量1Gbit
时钟频率(fc)104MHz
工作电压1.7V~2V
可替代型号 6 个候选 · 按子类与关键参数自动比对
型号品牌判定关键参数对比规格书
MX66U1G45GMI00旺宏电子功能兼容容量/接口一致,封装不同,需改板
存储容量 1Gbit → 1Gbit接口 SPI → SPI工作电压 1.7~2V → 1.65~2V封装 WSON8(6x8) → SOIC-16-300mil
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MX66U1G45GMJ00旺宏电子功能兼容容量/接口一致,封装不同,需改板
存储容量 1Gbit → 1Gbit接口 SPI → SPI工作电压 1.7~2V → 1.65~2V封装 WSON8(6x8) → SOIC-16-300mil
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MX66U1G45GXDI00旺宏电子功能兼容容量/接口一致,封装不同,需改板
存储容量 1Gbit → 1Gbit接口 SPI → SPI工作电压 1.7~2V → 1.65~2V封装 WSON8(6x8) → CSPBGA-24(6x8)
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MX66U1G45GXDI00TR旺宏电子功能兼容容量/接口一致,封装不同,需改板
存储容量 1Gbit → 1Gbit接口 SPI → SPI工作电压 1.7~2V → 1.65~2V封装 WSON8(6x8) → BGA-24(5x5)
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MX66U1G45GXDI0A旺宏电子功能兼容容量/接口一致,封装不同,需改板
存储容量 1Gbit → 1Gbit接口 SPI → SPI工作电压 1.7~2V → 1.65~2V封装 WSON8(6x8) → CSPBGA-24(6x8)
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MX66U1G45GXDI54旺宏电子功能兼容容量/接口一致,封装不同,需改板
存储容量 1Gbit → 1Gbit接口 SPI → SPI工作电压 1.7~2V → 1.65~2V封装 WSON8(6x8) → CSPBGA-24(6x8)
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判定只看公开参数(容量/接口/封装/引脚/主频),未覆盖时序余量、温度等级、认证与批次差异。替换前请以双方规格书确认;需要样品或替代验证支持可直接询价。

替换前确认清单(NOR FLASH)
  1. 封装与引脚兼容(SOP8/WSON/SOIC8 焊盘定义逐一核对)
  2. SPI 指令集与 Quad/QSPI 支持(快读 0xEB、扇区/块擦除指令差异)
  3. 容量、页大小与扇区结构(页 256B、扇区 4K 是否一致)
  4. 工作电压与速度等级(80/104/133MHz 及等效四线速率)
  5. JEDEC ID 与初始化流程(ID 不同驱动需适配)
  6. 写保护、OTP 与唯一 ID 等安全特性需求

以上为本产品类型的通用确认要点,逐项核对后建议先小批量验证;需要样品、替代评估报告或 FAE 支持,可直接询价,我们提供免费送样与验证协助。

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