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CY15B204QII 规格书下载 英飞凌

可下载 英飞凌 铁电存储器(FRAM)
型号信息 完整电气参数以规格书为准
型号
CY15B204QII
品牌
英飞凌 Infineon
系列
CY15B
分类
存储器 / 铁电存储器(FRAM)
封装
GQFN-8(3.2x3.3)

同族型号(见 CY15B204QI-20LPXI 规格书)

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型号自动带入询价单

主要参数 4 项 · 以规格书为准
接口类型SPI
存储容量4Mbit
工作电压1.8V~3.6V
工作电流1.4mA
可替代型号 1 个候选 · 按子类与关键参数自动比对
型号品牌判定关键参数对比规格书
CY15B104Q-SXI赛普拉斯功能兼容容量/接口一致,封装不同,需改板
存储容量 4Mbit → 4Mbit接口 SPI → SPI工作电压 1.8~3.6V → 2~3.6V封装 GQFN-8(3.2x3.3) → SOIC-8
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判定只看公开参数(容量/接口/封装/引脚/主频),未覆盖时序余量、温度等级、认证与批次差异。替换前请以双方规格书确认;需要样品或替代验证支持可直接询价。

替换前确认清单(铁电存储器(FRAM))
  1. 接口与时序兼容(SPI/I2C 模式、频率上限)
  2. 容量与写入粒度(无页写限制是 FRAM 优势)
  3. 擦写寿命(万亿次级)与数据保持年限
  4. 电压范围与超低功耗特性
  5. 替代 EEPROM/电池 SRAM 的场景匹配

以上为本产品类型的通用确认要点,逐项核对后建议先小批量验证;需要样品、替代评估报告或 FAE 支持,可直接询价,我们提供免费送样与验证协助。

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