23LCV1024-I/SN 规格书下载 美国微芯
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美国微芯
静态随机存取存储器(SRAM)
型号信息 完整电气参数以规格书为准
- 型号
- 23LCV1024-I/SN
- 品牌
- 美国微芯 MICROCHIP
- 系列
- —
- 分类
- 存储器 / 静态随机存取存储器(SRAM)
- 封装
- SOIC-8
1 Mbit SPI串行SRAM，带电池备份和SDI接口
主要参数 4 项 · 以规格书为准
| 接口类型 | SPI |
|---|---|
| 存储容量 | 1Mbit |
| 工作电压 | 2.5V~5.5V |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
可替代型号 6 个候选 · 按子类与关键参数自动比对
| 型号 | 品牌 | 判定 | 关键参数对比 | 规格书 |
|---|---|---|---|---|
| 23LC1024-I/SN | 美国微芯 | 功能兼容容量/接口一致，封装不同，需改板 | 存储容量 1Mbit → 1Mbit接口 SPI → SPI工作电压 2.5~5.5V → 2.5~5.5V封装 SOIC-8 → SOP-8 | 下载 |
| 23LC1024-I/ST | 美国微芯 | 功能兼容容量/接口一致，封装不同，需改板 | 存储容量 1Mbit → 1Mbit接口 SPI → SPI工作电压 2.5~5.5V → 2.5~5.5V封装 SOIC-8 → TSSOP-8 | 下载 |
| 23LC1024T-I/SN | 美国微芯 | 功能兼容容量/接口一致，封装不同，需改板 | 存储容量 1Mbit → 1Mbit接口 SPI → SPI工作电压 2.5~5.5V → 2.5~5.5V封装 SOIC-8 → SOP-8 | 下载 |
| IS62WVS2568FALL | 芯成半导体 | 升级替换容量更大，够用但成本可能更高 | 存储容量 1Mbit → 2Mbit接口 SPI → SPI工作电压 2.5~5.5V → 2.2~3.6V封装 SOIC-8 → SOIC-8 | 下载 |
| IS62WVS2568FBLL-20NLI | 芯成半导体 | 升级替换容量更大，够用但成本可能更高 | 存储容量 1Mbit → 2Mbit接口 SPI → SPI工作电压 2.5~5.5V → 2.2~3.6V封装 SOIC-8 → SOIC-8 | 下载 |
| 23AA04M-I/SN | 美国微芯 | 升级替换容量更大，够用但成本可能更高 | 存储容量 1Mbit → 4Mbit接口 SPI → SPI工作电压 2.5~5.5V → 1.7~3.6V封装 SOIC-8 → SOIC-8 | 下载 |
判定只看公开参数（容量/接口/封装/引脚/主频），未覆盖时序余量、温度等级、认证与批次差异。替换前请以双方规格书确认；需要样品或替代验证支持可直接询价。
替换前确认清单（静态随机存取存储器(SRAM)）
- 访问时序等级（-10/-12 ns）与主控余量
- 容量与位宽（x8/x16）
- 待机/工作电流
- 接口电平与输出驱动能力
- 封装与引脚
以上为本产品类型的通用确认要点，逐项核对后建议先小批量验证；需要样品、替代评估报告或 FAE 支持，可直接询价，我们提供免费送样与验证协助。
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